В составе Комплекса оборудования для нанесения тонких пленок.
Напыление тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков методами электронно-лучевого испарения и магнетронного распыления
| Основные параметры: | |
| Диаметр подложек | до 100 мм |
| Напыление следующих материалов | |
| элементов | Al, Cu, W, Au, Pt, Cr, Nb, Ta, Ni, Mo, C |
| соединений | TiN, NiCr, Si3N4 |
| оксидов | TiO2, Ta2O5, Al2O3, SiO2, In2O3-SnO2 |
Напыление любого проводящего, полупроводникового или диэлектрического материала, из которого можно изготовить мишень для магнетрона
Предварительная очистка пластины плазменным разрядом